Сравнение Si, SiC, GaN транзисторов.Часть 2: работа в преобразователе

В предыдущей части сравнивались кремниевые IGBT и MOSFET, карбид-кремниевые SiC-MOSFET и нитрид-галлиевые GaN транзисторы. Разница по динамике была видна. Но какая будет разница при работе в реальном преобразователе?